أول ذاكرة فلاش بتقنية 20 نانو متر

أعلنت شركة "إنتل" الأمريكية إحدى كبرى الشركات العالمية في تصنيع رقاقات ومعالجات أجهزة الكمبيوتر، بالتعاون مع شركة "مايكرون تكنولوجي" المتخصصة في إنتاج رقائق الذاكرة الإلكترونية في الولايات المتحدة الأمريكية، عن معيار جديد في تكنولوجيا "NAND" فلاش يتمثل في أول ذاكرة فلاش تعمل بتقنية 20 نانو متر بسرعة 128 جيجا بايت وبسعة 16 جيجا بايت، وذلك ضمن شراكتهما من خلال مشروع""joint IM Flash Technologies ، باستخدام تقنية الخلايا متعددة المستويات "، دون الإشارة إلى عدد "البيتات " لكل خلية، وهذه التقنية الجديدة تتيح الحصول على ذاكرة تخزين ذات كثافة أكبر وسرعة تبادل أعلى وسعة تخزين مضاعفة.
وتتميز الرقاقة ذو 128 جيجا بايت، بإمكانية تكوين هيكل مكون من ثمانية وحدات تخزينية بسعة 128 جيجا بايت في حجم أصغر من عقلة الإصبع، حيث يمكنها تخزين بيانات يصل إلى واحد تيرابايت، وذلك وفقاً للشركتين، كما تتسم بقدرتها على نقل بيانات بسرعة 333 ميجابايت في الثانية الواحدة، وذلك لدعم سرعة أداء التطبيقات بالهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوترات اللوحية ومحركات الأقراص الصلبة وكذلك الأجهزة المكتبة.
وتخطط الشركتان لإرسال عينات من منتجهما الجديد في مطلع يناير/كانون الثاني للعام المقبل، على أن يبدأ الإنتاج الضخم لهذه الرقاقات في النصف الأول من نفس العام.
في الوقت ذاته قررت الشركتان إنتاج كميات كبيرة لخط إنتاجهما من رقاقات "NAND" بسعة "64 جيجا بايت" بتقنية 20 نانو متر.
الجدير بالذكر أن إنتاج شرائح الذاكرة "NAND" تسير بوتيرة سريعة للغاية، ففي عام 2008 أنتجت الشركتان رقائق تعمل بتقنية 34 نانو متر، تلتها إنتاج ضخم من ذاكرات الفلاش بتقنية 25 نانو متر، بعدها نظيرتها بتقنية 22 نانو متر بسعة 8 جيجابايت، وها هي الآن تعلن عن الجديد منها بسعة 16 جيجا بايت.