تقنية حديثة لوحدات سيليكونية ورقائق ذاكرة قياسية

كشفت شركة "إنتل" هذا الأسبوع عن عدة اختراقات تقنية دمجتها الشركة في عملياتها الجديدة التي تعتمد تقنية 90 نانومتر وهي عملية تصنيع أشباه الموصلات الأكثر تطورا المطبقة في قطاع الرقائق حاليا، وقد استخدمت "إنتل" هذه العملية لتصنيع وحدات سيليكونية ورقائق ذاكرة قياسية لم يسبق لها مثيل.
وستعمد "إنتل" إلى تطبيق هذه العملية على نطاق واسع خلال العام المقبل لتصنيع أعداد كبيرة من هذه المنتجات باستخدام رقائق ذات 300مم. وتجمع عملية ال 90 نانومتر (النانوميتر يساوي 1مليار من المتر) الجديدة هذه ما بين الأداء الأعلى والترانزيستورات ذات الطاقة الأقل والسيليكون المشدود والموصلات النحاسية عالية السرعة ومادة جديدة عازلة للكهرباء ذات معدل k منخفض، وهذه هي المرة الأولى التي تدمج فيها كل هذه التقنيات في عملية تصنيع واحدة. وقال د. سونلين شو، نائب الرئيس الأعلى ومدير عام مجموعة التقنية والتصنيع في "إنتل": "بينما تعكف بعض الشركات على التحول ببطء نحو عمليات الإنتاج ذات ال 130 نانوميتر (13 مايكرون) على رقائق ذات 200مم، ننفرد نحن بتطبيق تقنية التسعين نانوميتر الأكثر تطورا حصريا على رقائق ذات 300مم، وهذا سيسمح ل "إنتل" بتصنيع منتجات أفضل وبخفض تكاليف التصنيع". وتعمل "إنتل" منذ أكثر من عشر سنوات على تطوير قطاع صناعة الرقائق بطرحها جيل جديد من عمليات التصنيع كل عامين، حسب توقعات "نظام مورMoore" وتعتبر عملية التسعين نانوميتر بمثابة الجيل التالي بعد عملية 13 مايكرون التي تستخدمها "إنتل" حاليا لتصنيع الجزء الأكبر من أشباه الموصلات التي تنتجها الشركة. استخدمت "إنتل" في شهر فبراير عمليتها ذات التسعين نانومتر لتصنيع رقاقات SRAM الأعلى سعة في العالم بمعدل 52 ميغابت (قادرة على تخزين 52 مليون خانة فردية من المعلومات)، وتحتوي هذه الرقائق على 330 مليون ترانزيستور مركب على مساحة لا تتجاوز ال 109 مليمتر مربع - بحجم الأظفر تقريبا. وتعتمد هذه الرقائق أيضا حجم خلية SRAM يعد رائدا في قطاع تصنيع الرقائق حيث يبلغ مايكرونا مربعا واحدا فقط. ويشكل ذلك اختراقا ثوريا لطالما حلم به مصممو ومصنعو السيليكون، ويذكر أن حجم كرة الدم الحمراء هو أكبر بمائة مرة من حجم هذه الخلية.
وتسمح خلايا SRAM الصغيرة بدمج ذاكرات البيانات المخبئية الأكبر حجما في المعالجات مما يسهم في تعزيز أدائها. وقد تم تصنيع أشباه المُوصلات هذه في مختبر تقنيات 300 مم التابع ل "إنتل" المسمى D1C في مدينة هلزبورو في ولاية أوريغون الأميركية حيث طورت هذه العملية. قال مارك بوهر، الشريك في "إنتل" ومدير هندسة وتكامل العمليات: "إن عملية التسعين نانومتر التي تنتهجها "إنتل" فعالة جدا حاليا ونحن ننتج هذه الرقائق بانتظام في منشأة التطوير التابعة لنا، وسنصبح، بحلول العام المقبل، الشركة الأولى التي تطبق تقنية التسعين نانومتر في تصنيع الرقائق بأعداد كبيرة.